FF200R06Ke3 datablad, funksjoner og industrielle applikasjoner
2025-04-03 191

FF200R06Ke3 av Infineon Technologies er en kraftig komponent som brukes til å håndtere høye kraftbehov effektivt.Denne modulen er pakket i liten størrelse, men leverer høy ytelse med avansert IGBT -teknologi og spesielle funksjoner for bedre effektivitet.Denne artikkelen forklarer modulens viktigste funksjoner, design og fordeler, og understreker dens rolle i forskjellige applikasjoner.

Katalog

FF200R06Ke3 Oversikt

De FF200R06Ke3, laget av Infineon Technologies, er en dobbeltisolert Gate Bipolar Transistor (IGBT) -modul som skiller seg ut med sine 600 V, 200 A -spesifikasjoner.Innkapslet i en kompakt 62 mm -pakke, kombinerer den Trenchstop ™ IGBT3 -teknologi med en emitter kontrollert 3 diode.Denne integrasjonen øker både effektivitet og ytelse, noe som gjør det til et topp valg for applikasjoner som krever robust strømstyring.

For de som ønsker å legge inn bulkbestillinger, tilbyr FF200R06Ke3 en pålitelig og høypresterende løsning for å imøtekomme dine behov.

FF200R06Ke3 -funksjoner

• Spenning og strømvurderinger: I stand til å håndtere opptil 600 V og 200 A, noe som gjør det egnet for applikasjoner med høy effekt.

• Avansert teknologi: Bruker Trenchstop ™ IGBT3 og emitter kontrollerte 3 diodeteknologier for optimaliserte koblingsegenskaper, inkludert forbedret mykhet og reduserte bytte tap.

• Høy driftstemperatur: Designet for å operere ved temperaturer opp til 150 ° C, noe som sikrer pålitelighet under krevende forhold.

• Monteringsstil: Har en skruefestdesign for sikker og enkel installasjon.

• UL/CSA -sertifisering: Sertifisert under UL1557 E83336, møte strenge sikkerhets- og resultatstandarder.

• ROHS -samsvar: I samsvar med begrensningen av direktivet om farlige stoffer, noe som gjenspeiler det miljøvennlige utformingen.

FF200R06Ke3 -spesifikasjoner

Maksimale nominelle verdier

Karakteristiske verdier

FF200R06Ke3 Kretsdiagram

Kretsdiagrammet viser den interne strukturen til FF200R06Ke3 IGBT -modulen.Den har to IGBT-transistorer tilkoblet i en halv-brokonfigurasjon, som er vanlig for å bytte applikasjoner som omformere og motoriske stasjoner.Terminal 1 og 3 er samlerne av hver IGBT, mens terminalene 2 og 4 er utsenderne.Hver IGBT er sammenkoblet med en anti-parallell diode, slik at strømmen kan strømme i motsatt retning under bytte.Terminalene 5 og 6 representerer portkontrollene for IGBTS, og terminal 7 er en delt emitterforbindelse.Denne utformingen støtter effektiv bytte og pålitelig omvendt utvinning gjennom de innebygde diodene.Den er designet for å håndtere høye strømmer og spenning med redusert strømtap.FF200R06Ke3 er en praktisk løsning for systemer som trenger stabil, høy ytelse.

FF200R06Ke3 -alternativer

• AMFF200R06Ke3

• FF200R12Ke3

• FF300R06Ke3

• FF200R06Ke3HOSA1

• FF200R06Ke3-B2

FF200R06Ke3 -applikasjoner

Frekvensstyrte omformerstasjoner

Modulens optimaliserte koblingsegenskaper, for eksempel reduserte tapstap og forbedret mykhet, forbedrer ytelsen og effektiviteten til omformersystemer.​

Industrielle motorstasjoner

FF200R06Ke3 er i stand til å håndtere høye strømmer og spenninger, og er godt egnet for å kontrollere store industrielle motorer, og gir pålitelig og presis motorisk drift.

Strømforsyninger

Modulens høye krafthåndteringsegenskaper gjør den ideell for bruk i strømforsyningsenheter som krever effektiv energikonvertering og styring.

Fornybare energisystemer

I applikasjoner som konvertering av sol- og vindkraft, kan FF200R06Ke3 brukes til å håndtere effektiv overføring og konvertering av energi fra fornybare kilder.

FF200R06Ke3 -pakningskontur

Emballasjediagrammet til FF200R06Ke3 viser en detaljert mekanisk utforming av modulen.Den bruker et standard 62 mm hus, og måler 106,4 mm i lengde og 62 mm i bredden.Modulen har tre hovedterminaler for strømforbindelser, hver avstand jevnt med 28 mm fra hverandre, med monteringshull i begge ender for sikker installasjon.Høyden på huset er rundt 30 mm, inkludert terminalpinnene.Den inkluderer en 7-pinners kontrollkontakt (DIN46244-A2.8-0.5-BZ) på siden for port og emitter signalkontroll.Tegningen spesifiserer også monteringsdybder (minimum 7 mm, maksimalt 10 mm) og toleranser i henhold til ISO2768 -standarder.Denne standardiserte disposisjonen hjelper deg med å enkelt integrere modulen i designene dine med presis montering og ledninger.

FF200R06Ke3 fordeler

Høy effektivitet: Ved å bruke avansert IGBT-teknologi oppnår modulen lav spenningsfall, noe som resulterer i redusert ledningstap og forbedret total effektivitet.

Robust termisk ytelse: FF200R06Ke3 er designet for god termisk stabilitet, og kan fungere effektivt under høye temperaturforhold, og sikre jevn ytelse og lang levetid.

Brukervennlighet: Modulen har en skruefesteutforming, og letter enkel og sikker installasjon i forskjellige systemer.​

Kompakt design: Med en lengde på 106,4 mm tilbyr FF200R06Ke3 en kompakt formfaktor, noe som gir effektiv bruk av plass innen utstyr og systemer.​

Produsent

Infineon Technologies AG, med hovedkontor i Neubiberg, Tyskland, er en ledende global halvlederprodusent.Infineon ble opprettet i 1999 som en spin-off fra Siemens AG, og har vokst til å bli et av verdens topp ti halvlederbedrifter.Selskapet sysselsetter omtrent 58 000 mennesker og rapporterte omsetning på rundt € 15 milliarder i 2024.

FF200R06Ke3 vs. FF200R12Ke3 sammenligning

Parameter	FF200R06Ke3	FF200R12Ke3
Samleremitterspenning (vCes)	600 v	1200 v
Kontinuerlig samlerstrøm (iC)	200 a	200 a
Pakketype	62 mm	62 mm
IGBT -teknologi	Trenchstop ™ IGBT3	Trenchstop ™ IGBT3
Diodeteknologi	Emitter kontrollert 3 diode	Emitter kontrollert høy effektivitetsdiode
Operasjonstemperatur (tvj op)	Opptil 150 ° C.	Opptil 125 ° C.
Samler-emitter metningsspenning (vCesat)	1.9 V på VGe = 15 V, IC = 200 A	2.0 V på VGe = 15 V, IC = 200 A
Inngangskapasitans (CIES)	13.0 NF	14.0 NF
Omvendt overføringskapasitans (CRES)	0,5 nf	0,5 nf
Gate Charge (QG)	1,9 µC	1,9 µC
Intern gate motstand (RGINT)	3.8 Ω	3.8 Ω
Turn-on forsinkelsestid (td (på))	0,25 µs	0,25 µs
Stigningstid (TR)	0,09 µs	0,09 µs
Avstemmingsforsinkelsestid (td (av))	0,55 µs	0,55 µs
Fall Time (TF)	0,13 µs	0,13 µs
Total kraftdissipasjon (PTOT)	680 w	1050 w
Isolasjonstestspenning (vIsol)	2500 v	2500 v
Vekt	340 g	340 g
Monteringsstil	Skruefeste	Skruefeste
Sertifisering	UL1557 E83336	UL1557 E83336
ROHS -samsvar	Ja	Ja

Konklusjon

Oppsummert demonstrerer FF200R06Ke3 -modulen fra Infineon Technologies innovasjon innen strømstyring.Den er designet for å støtte et bredt spekter av krevende applikasjoner med sin høye effektivitet og robuste ytelse.Denne artikkelen viser hvorfor FF200R06Ke3 er et pålitelig valg for alle som trenger avanserte strømløsninger, noe som gjør det til et verdifullt verktøy i moderne industrielle omgivelser.

Datablad pdf

FF200R06Ke3 DATABLEV:

FF200R06Ke3.pdf
FF200R06Ke3 Detaljer PDF
FF200R06Ke3 PDF - DE.PDF
FF200R06Ke3 PDF - FR.PDF
FF200R06Ke3 PDF - ES.PDF
Ff200r06ke3 pdf - it.pdf
FF200R06Ke3 PDF - Kr.pdf